به گزارش روز دوشنبه گروه علمي ايرنا از ستاد توسعه فناوري نانو، محققان موسسه فيزيك مسكو روشي براي گرم شدن بيش از حد ميكروپردازشگرهاي اپتوالكترونيك ارائه كردند و با استفاده از آن پردازشگري ساختند كه مي‌تواند با سرعتي 10 هزار برابر سريعتر از پردازشگرهاي رايج كار كند.
سرعت پردازشگرهاي چند هسته‌اي كه در حال حاضر در رايانه هاي پرسرعت استفاده مي‌شود، بستگي زيادي به سرعت هر هسته ندارد بلكه به زمان انتقال داده‌ها ميان هسته‌ها بستگي دارد.
سيم‌هاي مسي مورد استفاده در پردازشگرها موجب محدود شدن پهناي باند مي‌شود؛ بنابراين اين سيم‌ها پاسخگوي نياز توليدكنندگان پردازشگرهاي پرسرعت نيستند زيرا با دوبرابر شدن تعداد هسته‌ها، توان پردازش دوبرابر نخواهد شد.
صنايع بزرگ نيمه‌هادي نظير اينتل، IBM، اوراكل و HP تنها راه حل اين مشكل را انتقال از الكترونيك به فتونيك مي‌دانند و در حال حاضر ميلياردها دلار براي تحقيق روي اين حوزه سرمايه‌گذاري كرده‌اند. در واقع به جاي الكترون مي‌توان از فوتون براي انتقال اطلاعات استفاده كرد و در نهايت با افزايش تعداد هسته‌ها، سرعت را نيز به همان نسبت افزايش داد.
اين گروه تحقيقاتي نشان دادند كه مي‌توان از مواد رساناي گرمايي كه به صورت لايه نازك هستند براي اين منظور و كاهش دماي تراشه ها استفاده كرد. اين لايه‌ها بين تراشه و سيستم خنك كننده قرار مي‌گيرند تا گرماي توليد شده را از تراشه به بيرون منتقل كند.
براساس نتايج شبيه‌سازي‌هاي اين گروه اگر تراشه اپتوالكترونيك با راهنماي موج پلاسمونيك فعال در معرض هوا قرار گيرد، دما تا چند صددرجه افزايش مي‌يابد. اما با استفاده از لايه نازك ميكرو و نانومقياس مي‌توان اين دما را به شدت كاهش داد.
علمي**1834**2017
تاریخ انتشار: ۱۰ اسفند ۱۳۹۴ - ۱۳:۲۹
تهران- ايرنا- محققان با استفاده از لايه‌هاي نازك نانومقياس موفق به كاهش دماي توليدشده در تراشه هاي رايانه اي و در نتيجه افزايش عملكرد پردازشگرها شدند.