تهران - ايرنا - پژوهشگران با استفاده از نانولوله‌ كربني موفق به ساخت ترانزيستوري با عملكرد بالا شدند، اين ترانزيستور در مقياس آزمايشگاهي ساخته شده است.

به گزارش روز پنجشنبه ايرنا از ستاد ويژه توسعه فناوري نانو، يك تيم تحقيقاتي چيني از دانشگاه پكن موفق به ساخت ترانزيستور مبتني بر نانولوله‌هاي كربني شد كه عملكرد مناسبي دارد.
نتايج اين پروژه در قالب مقاله‌اي با عنوان Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths در نشريه ساينس به چاپ رسيده است. اين گروه تحقيقاتي در اين مقاله نشان دادند كه چگونه مي ‌توان با استفاده از نانولوله كربني ترانزيستور ساخت.
تمام افراد فعال در كسب و كار كامپيوتر از محدوديت‌ هاي ترانزيستورهاي سيليكوني مطلع هستند، به طوري كه با كوچك شدن ابعاد ترانزيستورها بايد به دنبال جايگزيني براي سيليكون بود، به همين دليل محققان درصدد استفاده از نانولوله ‌كربني هستند؛ هرچند كه اين كار نيز با چالش‌ هايي روبرو است.
در اين پروژه محققان موفق شدند در مقياس آزمايشگاهي اقدام به ساخت ترانزيستور با كمك نانولوله‌هاي كربني كنند، هرچند اين روش براي توليد انبوه مناسب نيست.
محققان براي ساخت اين ترانزيستور از راهبرد جديدي استفاده كردند، آنها به جاي رشد نانو لوله ‌هاي كربني با خواص مورد نظر، نانو لوله ‌هاي مختلفي را رشد داده و به شكل تصادفي روي سطح سيليكون قرار داده و ترانزيستور توليد كردند، بنابراين نمي ‌توان از اين راهبرد براي توليد انبوه استفاده كرد، اما امكان ساخت ترانزيستور براي انجام آزمايش با اين روش وجود دارد.
هنوز مشكل توليد انبوه با استفاده از الكترودهاي رايج وجود دارد. اين گروه تحقيقاتي با يك روش جديد، ترانزيستور بسيار كوچكي ساختند كه با نصف ولتاژ رايج قادر به توليد جريان بالاتري نسبت به تراتزيستورهاي استاندارد CMOS است. همچنين اين ترانزيستور سريع ‌تر از ترانزيستورهاي رايج بوده كه دليل اين امر تاخير كوتاه در فرآيند سوئيچ است.
انجام اين پروژه در چين اهميت زيادي دارد؛ چرا كه نشان مي ‌دهد سرمايه‌ گذاري انجام شده روي تحقيقات نانولوله ‌هاي كربني در اين كشور براي يافتن جايگزيني براي سيليكون به نتيجه رسيده است.
ترانزيستورهاي اثرميدان مبتني بر نانولوله ‌كربني كه داراي دروازه‌اي به طول 5 نانومتر است، مي‌ تواند عملكرد بهتري از همتايان سيليكوني خود داشته باشد.
اين گروه نشان داد استفاده از گرافن در كنار نانولوله كربني سرعت كار اين ترانزيستور را در ولتاژهاي پايين افزايش مي ‌دهد.
علمي 9014**1584
دريافت كننده: كيميا عبدالله پور*انتشاردهنده-مولوي
براي اطلاع از اخبار متنوع علمي و فناوري، با كانال علمي ايرنا در تلگرام همراه شويد:
irnaelm@ https://telegram.me