به گزارش روز دوشنبه گروه علمي ايرنا از پايگاه خبري ساينس ديلي، تاكنون گرمايش بيش از حد و مقياس پذيري، دو مانع مهم توليد تراشه‌هاي تراهرتز بودند اما اكنون محققان به فناوري اپتيكي جديدي دست يافتند كه سرعت ارتباطات اپتيكي را با ضريب اطمينان و قابليت توليد مقياس پذير مدارهاي الكترونيكي ادغام مي كند و امكان ساخت تراشه هاي تراهرتز را در اختيار مي‌گذارد.
ارتباطات اپتيكي شامل فناوري‌هايي مانند اينترنت، پست الكترونيك، ديتاسنترها و تماس‌هاي تلفني هستند كه از نور براي انتقال داده‌ها از طريق فيبرهاي نوري بهره مي‌گيرند. ارتباطات اپتيكي بسيار سريع هستند اما درون تراشه‌ها اين نوع ارتباطات قابل اطمينان نيست و توليد آنها در مقياس بزرگ، امري دشوار است.
اكنون محققان از ساختاري موسوم به MONOS(مخفف Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) براي ساخت يك مدار مجتمع بر اساس فناوري حافظه‌هاي فلش بهره گرفتند. اين فناوري امكان افزايش سرعت رايانه هاي 8 تا 16 گيگاهرتزي را تا 100 برابر فراهم و زمينه را براي توليد تراشه‌هاي تراهرتز مهيا كرده است.
اين فناوري امكان توليد نسل جديدي از تجهيزات بي‌سيم بسيار سريع و قدرتمند را فراهم مي‌كند و موجب تحول صنايع الكترونيكي مي‌شود.
گزارش كامل اين تحقيقات در نشريه Laser and Photonics Review منتشر شده است.
علمي (6)**9259**1834
تاریخ انتشار: ۶ فروردین ۱۳۹۷ - ۱۲:۵۳
تهران- ايرنا- محققان پس از سه سال تلاش به فناوري جديدي دست يافتند كه سرعت رايانه هاي فعلي را تا 100 برابر افزايش مي‌دهد.