یك گام بزرگ به سمت ساخت نورون های مصنوعی

به گزارش روز یكشنبه گروه اخبار علمی ایرنا از پایگاه خبری ساینس دیلی، ممریستورها در واقع مقاومت هایی هستند كه دارای حافظه بوده و از جنس تایتانات استرانسیم حاوی ناخالصی نیوبوم ساخته می شوند. محققان برای كنترل میزان رسانش ممریستورها از میدان های الكتریكی به شیوه آنالوگ استفاده می كنند. به عبارت دیگر برای كنترل مقاومت ممریستورها از پالس های اختلاف پتانسیل و به منظور بازخوانی جریان الكتریكی در هر حالت از یك ولتاژ ضعیف بهره می گیرند. شدت پالس ها تعیین كننده میزان مقاومت ابزار است. در این تحقیقات مشخص شد نرخ مقاومت حداقل 1000 واحد قابل تشخیص است و می توان تغییرات آن را در طول زمان اندازه گیری كرد.
همچنین مشخص شد مدت زمان پایداری حافظه ممریستور با مدت زمان اعمال پالس های محرك مقاومت ارتباط مستقیم دارد، به گونه ای كه با استفاده از پالس هایی با مدت زمان یك تا دو دقیقه، حافظه ممریستور به مدت یك تا چهار ساعت باقی می ماند.
به گفته محققان با استفاده از پالس های مختلف می توان رفتار این ابزار را تغییر داد و آن را به نحو مطلوب آموزش داد. این ابزار حافظه و توان پردازشی را به صورت یكجا در اختیار می گذارد و علاوه بر ذخیره اطلاعات، قادر است مانند مغز انسان برخی از اطلاعات را فراموش كند.
بر خلاف بیت های كامپیوتری كه در مبنای دو عمل می كنند و تنها دو حالت صفر و یك دارند، تعداد وضعیت های درونی نورون های مغز نامحدود است و به همین علت قادرند اطلاعات را به شیوه ای بسیار موثرتر از كامپیوتر پردازش كنند. محققان با انجام این تحقیقات و بهره مندی از نتایج آن یك گام دیگر به ساخت نورون های مصنوعی نزدیك شدند.
گزارش كامل این تحقیقات در نشریه Applied Physics منتشر شده است.
علمی (6)**9259*2017