به گزارش روز شنبه گروه اخبار علمی ایرنا از پایگاه خبری سی نت، حافظه های دارای قابلیت تغییرفاز كه با عنوان phase-change memory یا PCM شناخته می شوند در واقع نوعی حافظه RAM هستند كه به واسطه تغییر حالت ماده بیت ها بین سه حالت مایع، شیشه و كریستال، امكان ذخیره اطلاعات را فراهم می كنند.
در این تحقیقات آلیاژی از ژرمانیم، آنتیموان و تلوریم به ترتیب با نسبت 1، 2 و 4 به عنوان ماده اصلی سازنده حافظه PCM مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت.
در این تغییرات مشخص شد می توان حالت بیت های ساخته شده از این ماده را با استفاده از پالس نوری یا گرما از شیشه به كریستال و از كریستال به شیشه تغییر داد. این ماده در حالت غیرمنظم دارای مقاومت الكتریكی بالایی است و این حالت می تواند بیانگر خاموش بودن بیت باشد. اما در حالت كریستالی یا فاز منظم، مقاومت این ماده تا 1000 برابر كاهش می یابد و بیانگر حالت روشن است.
این بیت ها در لایه های دوبعدی و در بین الكترودهای فعال كننده ای قرار می گیرند و می توان این لایه ها را در یك ساختار سه بعدی به گونه ای مرتب كرد كه در مجموع یك دستگاه ذخیره اطلاعات با سرعت چندین برابر حافظه های فلش عادی را ایجاد كند.
گزارش كامل این تحقیقات در نشریه Science Advances منتشر شده است.
علمی (6)**9259**1440
تاریخ انتشار: ۱۰ آذر ۱۳۹۷ - ۱۲:۲۰
تهران – ایرنا - گروهی از محققان دانشگاه ایالتی آریزونا دریافتند با استفاده از ماده ای با قابلیت تغییرفاز می توان حافظه هایی با سرعت 1000 برابر حافظه های فلش موجود تولید كرد.