نوآوری «ترانزیستور نانومقیاس اثر میدانی باله ای» توسط محققان دانشگاه سمنان ثبت شد

به گزارش روز یكشنبه روابط عمومی دانشگاه سمنان، داود معروفی، مسئول مركز مالكیت فكری پارك علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با كانال اصلاح شده مدور» توسط دكتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشكده مهندسی برق و كامپیوتر دانشگاه سمنان، فاطمه كریمی دانشجوی دكتری این رشته و پارك علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره كل مالكیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88721 به ثبت رسید.
دكتر علی اصغر اروجی در توضیح این نوآوری گفت: این ساختار برای اولین بار است كه روی ترانزیستور اثر میدانی باله ای شكل با فناوری سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی كه دارد، مورد مناسبی برای ساخت ترانزیستور با فناوری بیان شده است.
وی افزود: در این ساختار از 2 راه كار همزمان باریك كردن قسمت بالایی كانال و گستردگی مدور سمت پایینی كانال استفاده شده و با این نوع اصلاح، اثر خودگرمایی، اثرات كانال كوتاه، اثر حامل‌های داغ، قابلیت اطمینان به ساختار، طول عمر، سرعت افزاره و به دنبال آن، ولتاژ شكست ساختار به طور همزمان، بهبود یافته است.
دانشگاه سمنان حدود 16 هزار دانشجو در مقاطع مختلف كاردانش، كارشناسی، كارشناسی ارشد و دكتری دارد و از نظر علمی در شاخص های مختلف، جزء 12 دانشگاه برتر كشور محسوب می شود.
6103