امکان ساخت ترانزیستورهای گرافنی فراهم شد
#
تهران ، خبرگزاری جمهوری اسلامی 88/05/19
علمی آموزشی.انرژی.ترانزیستور.گرافن
مهندسان دانشگاه صنعتی شریف، راهکاری برای ایجاد گاف انرژی در نوارهای
انرژی گرافن ارائه دادند و توانستند مشکل عدم امکان قطع هدایت الکتریکی
گرافن را حل کنند.
به گزارش روز دوشنبه ایرنا از ستاد ویژه توسعه فناوری نانو، گرافن به
صورت یک بلور دو بعدی با چیدمان شش ضلعی از اتم های کربن است.
گرافن با ساختار شبکه ای خود به ضخامت یک اتم کربن، کاربردهای بسیار
متنوعی دارد که دانشمندان را به حیرت واداشته است.
در این نیمه رسانا، گاف انرژی، بین نوارهای انرژی هدایت و ظرفیت وجود
ندارد.
عدم وجود گاف انرژی در ساختار نوارهای انرژی گرافن، سبب ایجاد ویژگی های
الکترونیکی، نوری و مکانیکی منحصر به فرد، در این ماده شده که کاربردهای
جالبی را برای این ماده موجب شده است.
در این ماده، امکان کنترل هدایت الکتریکی به وسیل ؟ اعمال ولتاژ گیت خارجی
وجود دارد، ولی به علت عدم وجود گاف انرژی، امکان قطع هدایت وجود ندارد.
مهندس بهناز قرهخانلو، راه حل این مشکل را ایجاد گاف انرژی در نوارهای
انرژی گرافن می داند.
وی در این باره می گوید: یکی از راه های ایجاد گاف انرژی، ایجاد نقص های
خنثی در بلور گرافن است. نقص های خنثی، فضاهای خالی هستند که در اثر حذف
برخی اتم های کربن از شبکه گرافن، به وجود می آیند. همچنین با الگوسازی
مناسب این نقص ها در ساختار گرافن تک لایه، می توان گاف انرژی ایجاد شده
در نقاط دیراک را کنترل نمود.
قره خانلو اظهار داشت: نتایج حاصل از تغییر تعداد و موقعیت اتم های حذف
شده از شبکه گرافن، روی گاف انرژی قابل استخراج است که از این نتایج می
توان در ساخت قطعات الکترونیک بر مبنای دیود و ترانزیستورهایی از جنس
گرافن بهره برد.
جزییات این پژوهش که با راهنمایی دکتر سینا خراسانی و همکاری مرجان علوی
انجام شده، در مجله Technology and Science Semiconductor (جلد23، صفحات
(5) 75026 ، سال 2008) منتشر شده است.
