شرایط بهینه ای برای طراحی تقویت کننده های عملیاتی با ترانزیستورهای

شرایط بهینه ای برای طراحی تقویت کننده های عملیاتی با ترانزیستورهای نانومتری ارائه شد # تهران ، خبرگزاری جمهوری اسلامی 88/09/24 علمی آموزشی.نانو.ترانزیستورها پژوهشگران دانشگاه فردوسی مشهد، شرایط بهینه ای را برای طراحی تقویت کننده های عملیاتی با ترانزیستورهای نانومتری ارایه کردند. به گزارش روز سه شنبه ایرنا از پایگاه اینترنتی ستاد ویژه توسعه فناوری نانو، مهندس حمیدرضا رضایی ده سرخ با انجام این پژوهش موفق به یافتن برخی شرایط بهینه به منظور طراحی تقویت کننده عملیاتی برای استفاده در فناوری ترانزیستورهای نانومتری شده است. رضایی ده سرخ گفت: تقویت کننده های عملیاتی، یکی از پرکاربردترین اجزای الکترونیک آنالوک محسوب می شود. در بسیاری از کاربردها، طراحی یک تقویت کننده عملیاتی بهینه، نیازمند داشتن رابطه دقیق برای نشست آن است. وی در ادامه افزود: در این پژوهش علاوه بر تحلیل، یک رابطه بسته برای نشست (شامل نشست خطی و غیرخطی تقویت کننده عملیاتی )، ارایه کرده ایم. رضایی ده سرخ، در مورد اهمیت این پژوهش گفت: در حقیقت این قسمتی از پژوهش بزرگتری است که برای بهینه سازی مبدل های آنالوک به دیجیتال پایپ لاین ( Pipeline( در فناوری نانومتری به کار می رود. بدین منظور، لازم است که نشست تقویت کننده عملیاتی در این فناوری بررسی گردد. وی افزود: بهینه سازی مبدل آنالوک به دیجیتال پایپ لاین از جنبه توان مصرفی بسیار حایز اهمیت است. چرا که این نوع از مبدل درگیرنده های مخابراتی کاربرد داشته و کاهش توان مصرفی موجب طولانی تر شدن عمر باتری، کاهش هزینه و حجم وسیله مخابراتی می شود. امروزه ابعاد ترانزیستورهای ساخته شده روی تراشه ها، به چند ده نانومتر رسیده است. کاهش ابعاد ترانزیستورها موجب افزایش سرعت، دقت، کارایی و کاهش سطح اشغالی ترانزیستور و ... می شود. ولی در کنار این مزایا، عیوبی نیز وجود دارد. گذشته از این عیوب، با کاهش ابعاد و در نتیجه افزایش میدان های الکتریکی عمودی و افقی در ترانزیستورهای ,MOS روابط مشخصه جریان- ولتاژ ترانزیستور نسبت به فناوری های قدیمی ساخت مدارات مجتمع، تغییر می کند. تحت این شرایط، مدارات با ابعاد نانومتر به دنیای جدید در الکترونیک تبدیل می شود بنابراین لازمه یک طراحی دقیق و بهینه، شناختن این دنیای جدید است. یکی از مهم ترین تفاوت های فناوری نانومتری با فناوری های قدیمی، غالب شدن پدیده اشباع سرعت در ترانزیستور MOSFET است. این پژوهش در مجله :SYSTEMS_II AND CIRCUITS ON TRANSACTIONS IEEE BRIEFS EXPRESS (جلد56، صفحات -388 384، سال 2009) منتشر شده است.