به گزارش گروه علم و آموزش ایرنا از دانشگاه صنعتی امیرکبیر، حامد دانشور دانش‌آموخته دکتری این دانشگاه و مجری طرح مدل سازی و تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده توان با ترانزیستور گسسته در محفظه (شیلد) روزنه‌دار درمورد این تحقیق گفت: تقویت کننده توان یکی از بخش‌های اصلی هر تجهیز مخابراتی است. تأثیرپذیری الکترومغناطیسی این تقویت کننده یکی از مسائل مهم در عملکرد این تجهیزات است.
وی خاطرنشان کرد: پژوهش‌های انجام شده در این حوزه، عملکرد کل مدار تقویت کننده تحت تابش میدان‌های الکتریکی مجاور آن را همزمان مورد تحلیل قرار نمی دهند. در این پژوهش، عملکرد کل مدار تقویت کننده توان تحت تابش میدان الکتریکی در یک محفظه (شیلد) روزنه دار به صورت تمام موج تحلیل شد.
به گفته محقق دانشگاه صنعتی امیرکبیر، برای انجام این پژوهش، ابتدا یک تقویت کننده توان با مشخصات موردنظر طراحی شد، سپس این تقویت کننده برای کاهش اثرهای میدان‌های تابشی مجاور درون یک محفظه روزنه دار قرار گرفت.
دانشور افزود: در ادامه با تحت تابش قراردادن این محفظه، تأثیرپذیری عملکرد تقویت کننده توان تحلیل شد. با استفاده از نتایج و روش ارائه شده در این پژوهش می توان تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تجهیزات مخابراتی مختلف نظیر تلفن همراه و ماهواره‌های مخابراتی را با دقت بیشتر بررسی کرد.
وی یادآور شد: از نتایج حاصل از این پژوهش تاکنون دو مقاله منتشر شده که تمرکز اصلی آنها روی تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده با تعمیم روش عددی تفاضل محدود حوزه زمان است.
فارغ التحصیل دانشگاه صنعتی امیرکبیر همچنین گفت: برای ادامه این پژوهش، با فراهم کردن ترانزیستور مورد استفاده در طراحی تقویت کننده توان موردنظر و ساخت این تقویت کننده می توان نتایج حاصل از این پژوهش را با نتایج حاصل از اندازه گیری صحت سنجی کرد.
دانشور به ویژگی‌های این پژوهش اشاره کرد و اظهار داشت: دقت بالاتر در تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت توان در مقایسه با روش‌های دیگر و تحلیل های نرم افزاری و همچنین کاهش تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده های توان کاربردی در تجهیزات مخابراتی مختلف به کمک محفظه روزنه دار از ویژگی های این تحقیق است.
اساتید راهنمای این طرح تحقیقاتی دکتر احد توکلی و دکتر پریسا دهخدا از اعضای هیات علمی دانشکده مهندسی برق دانشگاه صنعتی امیرکبیر بودند.
نظر شما